中国
MMRF1008H
未分配
MMRF1008H
制造商：
说明：
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Pulse Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215 MHz, 275 W, 50 V
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Pulse Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215 MHz, 275 W, 50 V
数据表:
