MMRF1314GSR5

NXP Semiconductors
841-MMRF1314GSR5
MMRF1314GSR5

制造商:

说明:
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER LDMOS TRANSISTOR 1200-1400 MHz, 1000 W Peak, 52 V

寿命周期:
停产
ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
交货限制:
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RoHS:  
N-Channel
Si
2.6 A
105 V
1.2 GHz to 1.4 GHz
17.7 dB
1 kW
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
NI-1230GS-4
LDMOS FET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: NXP Semiconductors
通道数量: 2 Channel
Pd-功率耗散: 909 W
产品类型: RF MOSFETs
系列: MMRF1314
工厂包装数量: 50
子类别: RF Transistors
类型: RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: + 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
零件号别名: 935316224178
单位重量: 8.518 g
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
不可用
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

供货情况

库存: