MMRF2010N
未分配
MMRF2010N
制造商:
说明:
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF LDMOS Integrated Power Amplifier, 1030-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF LDMOS Integrated Power Amplifier, 1030-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
数据表:

中国