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MMRF5017HS

NXP Semiconductors

Mouser编号：

未分配

制造商编号：

MMRF5017HS

制造商：

NXP Semiconductors

说明：

GaN 场效应晶体管 GaN 2.2GHz 250W NI400S4S

数据表:

MMRF5017HS 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	NXP
产品种类:	GaN 场效应晶体管
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	NI-400S-2
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	125 V
Id-连续漏极电流:	200 mA
Vgs - 栅极-源极电压:	- 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	- 2.3 V
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	154 W
技术:	GaN-on-SiC
商标:	NXP Semiconductors
产品类型:	GaN FETs
系列:	MMRF5017HS
子类别:	Transistors
类型:	RF Power MOSFET

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数据表

MMRF5017HS 数据表 (PDF)

合规代码

ECCN:: EAR99

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