MRF085H

NXP Semiconductors
未分配
MRF085H

制造商：

说明：
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 85 W CW over 1.8-1215 MHz, 50 V.

数据表:

产品属性 属性值 选择属性
NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
Dual N-Channel
Si
210 mA
- 500 mV, 133 V
1.8 MHz to 1.215 GHz
25.6 dB
85 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
NI-650H-4
LDMOS FET
商标: NXP Semiconductors
通道数量: 2 Channel
Pd-功率耗散: 235 W
产品类型: RF MOSFETs
系列: MRF085H
子类别: RF Transistors
类型: RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: - 6 V, + 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V
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合规代码
ECCN:
EAR99

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