.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

MRF1K50N 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

结果: 2

已应用过滤器:

晶体管极性

Id-连续漏极电流

Vds-漏源极击穿电压

工作频率

增益

输出功率

最小工作温度

最大工作温度

安装风格

封装 / 箱体

封装

重置所有

在结果中搜索

库存量

正常库存

在售

新产品

符合RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	晶体管极性	技术	Id-连续漏极电流	Vds-漏源极击穿电压	工作频率	增益	输出功率	最小工作温度	最大工作温度	安装风格	封装 / 箱体	晶体管类型	封装
	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V NXP Semiconductors MRF1K50N MRF1K50N NXP Semiconductors	制造商零件编号 MRF1K50N Mouser 零件编号未分配	NXP Semiconductors	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V		N/A		无库存，请致电询价				Si										LDMOS FET
	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V MRF1K50NR5 NXP Semiconductors 1: ¥3,406.8483 23库存量寿命结束	制造商零件编号 MRF1K50NR5 Mouser 零件编号 841-MRF1K50NR5 寿命结束	NXP Semiconductors	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V	数据表	23库存量	剪切带 ¥3,406.8483 ¥2,944.9721 ¥2,848.3006 卷轴 ¥2,756.4203	最低： 1 倍数： 1 : 50			N-Channel	Si	36 A	133 V	1.8 MHz to 500 MHz	23 dB	1.5 kW	- 40 C	+ 150 C	SMD/SMT	OM-1230-4	LDMOS FET	Reel, Cut Tape

MRF1K50N 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

已应用过滤器:

昴氏(上海)电子贸易有限公司

公司

资源

支持