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MRF7S21170H 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	晶体管极性	技术	Id-连续漏极电流	Vds-漏源极击穿电压	Rds On-漏源导通电阻	工作频率	增益	输出功率	最小工作温度	最大工作温度	安装风格	封装 / 箱体	封装
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 100Watts 28Volt Gain 12dB MRF177 MACOM 1: ¥2,593.1466 340库存量	制造商零件编号 MRF177 Mouser 零件编号 937-MRF177	MACOM	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 100Watts 28Volt Gain 12dB 了解更多关于MACOM mrf 的信息	数据表	340库存量	¥2,593.1466 ¥2,189.7366 ¥2,074.4314	最低： 1 倍数： 1	N-Channel	Si	16 A	65 V		400 MHz	12 dB	100 W	- 65 C	+ 150 C	SMD/SMT	744A-01	Tray
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor MRF174 Advanced Semiconductor, Inc. 1: ¥589.4645 61库存量寿命结束	制造商零件编号 MRF174 Mouser 零件编号 974-MRF174 寿命结束	Advanced Semiconductor, Inc.	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor	数据表	61库存量	¥589.4645 ¥534.1397 ¥515.7207 ¥497.2226 查看 ¥478.8149 ¥464.1362 报价	最低： 1 倍数： 1	N-Channel	Si	13 A	65 V	2.5 mOhms	200 MHz	11.8 dB	125 W	- 65 C	+ 200 C	SMD/SMT	221-11-3	Tray
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor MRF171 Advanced Semiconductor, Inc. 1: ¥506.5225 8库存量寿命结束	制造商零件编号 MRF171 Mouser 零件编号 974-MRF171 寿命结束	Advanced Semiconductor, Inc.	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor	数据表	8库存量	¥506.5225 ¥460.4976 ¥414.4614 查看报价	最低： 1 倍数： 1	N-Channel	Si	4.5 A	65 V	700 uOhms	200 MHz	15 dB	45 W	- 65 C	+ 200 C	SMD/SMT	211-07-3	Tray

MRF7S21170H 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

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