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RoHS

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MRF8P20100HSR3

NXP Semiconductors

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

841-MRF8P20100HSR3

制造商编号：

MRF8P20100HSR3

制造商：

NXP Semiconductors

说明：

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2GHZ 100W NI780HS-4

寿命周期:

停产

数据表:

MRF8P20100HSR3 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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交货限制:

Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	NXP
产品种类:	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
交货限制:	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
晶体管极性:	N-Channel
技术:	Si
Vds-漏源极击穿电压:	65 V
工作频率:	1.88 GHz to 2.025 GHz
增益:	16 dB
输出功率:	20 W
最大工作温度:	+ 150 C
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	NI-780S-4
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	NXP Semiconductors
产品类型:	RF MOSFETs
系列:	MRF8P20100H
工厂包装数量:	250
子类别:	RF Transistors
类型:	RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压:	+ 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.9 V
零件号别名:	935310291128
单位重量:	6.469 g

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数据表

MRF8P20100HSR3 数据表 (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 不可用
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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