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MRFE6VP8600HSR5

NXP Semiconductors

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

841-MRFE6VP8600HSR5

制造商编号：

MRFE6VP8600HSR5

制造商：

NXP Semiconductors

说明：

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W NI1230S 50V

寿命周期:

停产

数据表:

MRFE6VP8600HSR5 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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交货限制:

Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	NXP
产品种类:	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
交货限制:	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
晶体管极性:	N-Channel
技术:	Si
Vds-漏源极击穿电压:	140 V
工作频率:	470 MHz to 860 MHz
增益:	18.8 dB
输出功率:	600 W
最大工作温度:	+ 150 C
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	NI-1230S
晶体管类型:	LDMOS FET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	NXP Semiconductors
正向跨导 - 最小值:	15.6 S
Pd-功率耗散:	1.52 kW
产品类型:	RF MOSFETs
系列:	MRFE6VP8600H
工厂包装数量:	50
子类别:	RF Transistors
类型:	RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压:	+ 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.07 V
零件号别名:	935310858178
单位重量:	13.264 g

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已选择的属性: 0

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数据表

MRFE6VP8600HSR5 数据表 (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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