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RoHS

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NGTG30N60FLWG

onsemi

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

863-NGTG30N60FLWG

制造商编号：

NGTG30N60FLWG

制造商：

onsemi

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V/30A IGBT LPT TO-247

寿命周期:

寿命结束:

将过时且制造商将停产。

数据表:

NGTG30N60FLWG 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-247
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	600 V
集电极—射极饱和电压:	1.65 V
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流:	60 A
Pd-功率耗散:	250 W
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
系列:	NGTG30N60FLWG
封装:	Tube
商标:	onsemi
栅极—射极漏泄电流:	100 nA
产品类型:	IGBTs
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
单位重量:	6.500 g

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

NGTG30N60FLWG 数据表 (PDF)

EOL

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

特色产品

ONSEMI

AFGB30T65RQDN IGBT

兼具高品质因数及低导通损耗和低开关损耗。

了解更多的信息

AFGH4L60T120RWx-STD N沟道场截止VII IGBT

该器件性能优异，具备低通态电压与低开关损耗。

了解更多的信息

AFGBG70T65SQDC N沟道场截止IV IGBT

该器件性能优异，具有低导通损耗和低开关损耗。

了解更多的信息

AFGHxL40T车规级IGBT

符合AEC-Q101标准，采用坚固的场终止型VII沟槽结构。

了解更多的信息

FGB5065G2-F085 EcoSD® 2 HV-HE IGBT

650V N沟道点火器件，用于PTC加热器和大电流系统应用。

了解更多的信息

库存量: 13

库存：: 13 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。

该产品已停产，库存售罄后将不再提供。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥48.7143	¥48.71
	¥31.9338	¥319.34
	¥23.7413	¥2,848.96
	¥19.8541	¥8,338.72
	¥18.4416	¥19,363.68
	¥17.289	¥43,568.28

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