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NTBGS002N06C

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

863-NTBGS002N06C

制造商编号：

NTBGS002N06C

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET Power MOSFET, 60 V, 2.2 m?, 211 A, Single N-Channel, D2PAK7 Power MOSFET, 60 V, 2.0 m?, 252 A, Single N-Channel, D2PAK7

寿命周期:

寿命结束:

将过时且制造商将停产。

数据表:

NTBGS002N06C 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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交货限制:

Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
交货限制:	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	D2PAK-7
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	211 A
Rds On-漏源导通电阻:	2.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	62.1 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	178 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
产品类型:	MOSFETs
系列:	NTBGS002N06C
工厂包装数量:	800
子类别:	Transistors

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数据表

NTBGS002N06C 数据表 (PDF)

EOL

Product Discontinuation Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

单N沟道功率MOSFET

安森美半导体单N沟道功率MOSFET是一款小尺寸、设计紧凑的MOSFET，具有低R_DS(on) 和低电容。低R_DS(on) 值可最大限度降低导通损耗，低电容可最大限度降低驱动器损耗。这些单N沟道功率MOSFET不含铅，符合RoHS指令，工作温度范围为- 55°C至175°。

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