NTBLS0D7N06C

Name: onsemi NTBLS0D7N06C
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBLS0D7N06C
Price: 69.69 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

863-NTBLS0D7N06C

制造商编号：

NTBLS0D7N06C

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET NFET TOLL 60V 0.75MO

寿命周期:

寿命结束:

将过时且制造商将停产。

数据表:

NTBLS0D7N06C 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-LL8-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	470 A
Rds On-漏源导通电阻:	750 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	170 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	314 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	105 ns
正向跨导 - 最小值:	310 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	57 ns
系列:	NTBLS0D7N06C
工厂包装数量:	2000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	146 ns
典型接通延迟时间:	37 ns
单位重量:	1.670 g

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已选择的属性: 0

筛选文档:

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 菲律宾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

NTBLS0D7N06C N沟道功率MOSFET

onsemi NTBLS0D7N06C N沟道功率MOSFET具有较低的R_DS(on) 、电容和Q_G，可最大限度地降低传导损耗和驱动器损耗。这款onsemi功率MOSFET可降低开关噪声，工作电压为60V_(BR)DSS 、470A I_D(max) 和0.75mΩ R_DS(on)（10V时）。典型的应用包括电动工具、电池驱动真空吸尘器、无人驾驶飞行器（UAV）/无人机、物料搬运、电池管理系统（BMS）/存储和家庭自动化。