NTD360N65S3H

Name: onsemi NTD360N65S3H
Brand: onsemi
SKU: 863-NTD360N65S3H
Price: 25.91 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NTD360N65S3H

制造商编号：

NTD360N65S3H

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET SUPERFET3 FAST 360MOHM DPAK

数据表:

NTD360N65S3H 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	10 A
Rds On-漏源导通电阻:	360 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	17.5 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	83 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
产品类型:	MOSFETs
系列:	NTD360N65S3H
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors

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数据表

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PCN

Material Composition Disclosure

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

SuperFET® III MOSFET

安森美(onsemi) SuperFET® III MOSFET是高压超结 (SJ) N沟道MOSFET，旨在满足电信、服务器、电动汽车 (EV) 充电器和太阳能产品的高功率密度、系统效率和超高可靠性要求。此系列器件拥有出色的可靠性、低电磁干扰、超高的效率和卓越的热性能，是高性能应用的理想选择。除高性能外，SuperFET III MOSFET还通过丰富的封装选项为产品设计师提供高度的灵活性，特别是在尺寸受限的设计中。

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库存量: 5,506

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本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥29.2783	¥29.28
	¥14.7239	¥147.24
	¥12.9837	¥1,298.37
	¥10.8367	¥5,418.35
	¥10.5881	¥10,588.10
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥10.3395	¥25,848.75

NTD360N65S3H

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制造商： onsemi

说明： MOSFET SUPERFET3 FAST 360MOHM DPAK

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