NTHL041N60S5H

Name: onsemi NTHL041N60S5H
Brand: onsemi
SKU: 863-NTHL041N60S5H
Price: 93.7 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NTHL041N60S5H

制造商编号：

NTHL041N60S5H

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET SUPERFET5 FAST 41MOHM TO-247-3

数据表:

NTHL041N60S5H 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Id-连续漏极电流:	57 A
Rds On-漏源导通电阻:	41 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.3 V
Qg-栅极电荷:	108 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	329 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Tube
商标:	onsemi
产品类型:	MOSFETs
系列:	NTHL041N60S5H
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors

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Material Composition Disclosure

合规代码

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

SuperFET® V MOSFET

安森美SuperFET^® V MOSFET是第五代高压超级结（SJ）MOSFET。这些器件具有同类最佳的品质因数（FOM）（R_DS(ON)· Q_G 和R_{DS (ON)}· E_OSS)，不仅可提高重负载，还可提高轻负载效率。600V SuperFET V MOSFET通过降低导通和开关损耗提供设计优势，同时支持极端MOSFET dV_DS/dt额定值（120V/ns)。SuperFET V MOSFET快速系列有助于最大限度地提高系统效率和功率密度。SuperFET V MOSFET Easy Drive系列兼具出色的开关性能，同时又不牺牲硬开关和软开关拓扑的易用性。典型应用包括电信、云系统和工业。