NTJD4158CT1G

Name: onsemi NTJD4158CT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTJD4158CT1G
Price: 3.37 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
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Mouser编号：

863-NTJD4158CT1G

制造商编号：

NTJD4158CT1G

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET PFET 20V .88A 1OHM

数据表:

NTJD4158CT1G 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOT-363-6
晶体管极性:	N-Channel, P-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	20 V, 30 V
Id-连续漏极电流:	250 mA, 880 mA
Rds On-漏源导通电阻:	1.5 Ohms, 500 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	12 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	450 mV, 800 mV
Qg-栅极电荷:	900 pC, 2.2 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	270 mW
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	onsemi
配置:	Dual
下降时间:	78 ns, 3.5 ns
正向跨导 - 最小值:	0.08 S, 3 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	66 ns, 6.5 ns
系列:	NTJD4158C
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	56 ns, 13.5 ns
典型接通延迟时间:	15 ns, 5.8 ns
单位重量:	7.500 mg

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已选择的属性: 0

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数据表

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PCN

SPICE Models

合规代码

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 捷克共和国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

特色产品

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库存量: 47,211

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生产周期：: 52 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1 最多： 3000

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥3.8081	¥3.81
	¥1.7063	¥17.06
	¥1.4916	¥149.16
	¥1.10853	¥554.27
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥0.82716	¥2,481.48

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

NTJD4158CT1G

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