NTMFSC006N12MC

Name: onsemi NTMFSC006N12MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFSC006N12MC
Price: 27.89 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
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Mouser编号：

863-NTMFSC006N12MC

制造商编号：

NTMFSC006N12MC

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET 120V PTNG IN 5X6 DUALCOOL

数据表:

NTMFSC006N12MC 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFN-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	120 V
Id-连续漏极电流:	92 A
Rds On-漏源导通电阻:	6.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	48 nC
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	104 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	PowerTrench
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	5.7 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	5.3 ns
系列:	NTMFSC006N12MC
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	2 N-Channel
典型关闭延迟时间:	25.5 ns
典型接通延迟时间:	15.2 ns

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数据表

NTMFSC006N12MC 数据表 (PDF)

Material Composition Disclosure

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 菲律宾
组装原产国/地区:: 菲律宾
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

NTMFSC006N双路Cool N沟道功率MOSFET

onsemi NTMFSC006N Dual Cool™ N沟道功率MOSFET采用双面冷却封装的功率Trench^® 工艺。这款功率MOSFET具有超低R_DS(ON) 、120V漏极至源极电压、±20V栅极至源极电压、1459A脉冲漏极电流和150°C最大工作结温/存储温度。NTMFSC006N双路Cool™ N沟道功率MOSFET 100%经过UIL测试，符合RoHS指令。典型应用包括交流-直流商用电源、一次侧直流-直流FET、同步整流器和直流-直流转换。

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库存量: 105

库存：: 105

可立即发货

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在途量:: 3,000

预期 2027/4/30
生产周期：: 52

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥31.5157	¥31.52
	¥20.5095	¥205.10
	¥14.3962	¥1,439.62
	¥11.9893	¥5,994.65
	¥11.1644	¥11,164.40
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥10.509	¥31,527.00

NTMFSC006N12MC

制造商： onsemi

说明： MOSFET 120V PTNG IN 5X6 DUALCOOL

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