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NTTFSS1D1N02P1E

onsemi

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

863-NTTFSS1D1N02P1E

制造商编号：

NTTFSS1D1N02P1E

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET 25V PT11E IN 3X3 SD PACKAGE

数据表:

NTTFSS1D1N02P1E 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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交货限制:

Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
交货限制:	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	WDFN-9
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	25 V
Id-连续漏极电流:	264 A
Rds On-漏源导通电阻:	850 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	16 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	60 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	89 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	5.1 ns
正向跨导 - 最小值:	146 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	3.4 ns
系列:	NTTFSS1D1N02P1E
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	34.7 ns
典型接通延迟时间:	10.8 ns

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

NTTFSS1D1N02P1E 数据表 (PDF)

Material Composition Disclosure

合规代码

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国台湾
组装原产国/地区:: 菲律宾
扩散国家:: 中国台湾

发货时，国家/地区可能会发生变化。

特色产品

ONSEMI

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