NVMTS4D3N15MC

Name: onsemi NVMTS4D3N15MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMTS4D3N15MC
Price: 64.71 RMB
Availability: InStock

Mouser编号：

863-NVMTS4D3N15MC

制造商编号：

NVMTS4D3N15MC

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 FOR AUTOMOTIVE

数据表:

NVMTS4D3N15MC 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	150 V
Id-连续漏极电流:	165 A
Rds On-漏源导通电阻:	4.45 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.5 V
Qg-栅极电荷:	79 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	292 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	onsemi
产品类型:	MOSFETs
系列:	NVMTS4D3N15MC
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors

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数据表

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Material Composition Disclosure

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 菲律宾
组装原产国/地区:: 菲律宾
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

单N沟道功率MOSFET

安森美半导体单N沟道功率MOSFET是一款小尺寸、设计紧凑的MOSFET，具有低R_DS(on) 和低电容。低R_DS(on) 值可最大限度降低导通损耗，低电容可最大限度降低驱动器损耗。这些单N沟道功率MOSFET不含铅，符合RoHS指令，工作温度范围为- 55°C至175°。

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库存量: 8,064

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生产周期：: 72 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1 最多： 3000

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥73.1223	¥73.12
	¥51.4489	¥514.49
	¥41.6066	¥4,160.66
	¥36.9736	¥18,486.80
	¥32.7587	¥32,758.70
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥32.7587	¥98,276.10

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

NVMTS4D3N15MC

制造商： onsemi

说明： MOSFET PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 FOR AUTOMOTIVE

规格

文件 (1)

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