NVXR22S90M2SPB

Name: onsemi NVXR22S90M2SPB
Brand: onsemi
SKU: 863-NVXR22S90M2SPB
Price: 10958.92 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NVXR22S90M2SPB

制造商编号：

NVXR22S90M2SPB

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET模块 SIC 900V 6D MOSFET V-SSDC SPB

数据表:

NVXR22S90M2SPB 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET模块
RoHS:
技术:	SiC
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SSDC-39
Vds-漏源极击穿电压:	900 V
Id-连续漏极电流:	510 A
Rds On-漏源导通电阻:	2.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 8 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.7 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	900 W
系列:	NVXR22S90M2SPB
封装:	Tray
商标:	onsemi
配置:	Module
下降时间:	48 ns
产品类型:	MOSFET Modules
上升时间:	94 ns
工厂包装数量:	4
子类别:	Discrete and Power Modules
商标名:	EliteSiC
类型:	EliteSiC Power Module
典型关闭延迟时间:	295 ns
典型接通延迟时间:	106 ns

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数据表

NVXR22S90M2SPB 数据表 (PDF)

Material Composition Disclosure

合规代码

USHTS:: 8542390060
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

NVXR22S90M2SPx EliteSiC功率模块

安森美（onsemi）NVXR22S90M2SPx EliteSiC功率模块采用紧凑型兼容封装，具有更高的性能、效率和功率密度。安森美（onsemi）NVXR22S90M2SPx模块设有采用六组配置的900V SiC MOSFET，设有压配引脚，便于组装和提高可靠性。该器件在基板上包含一个经过优化的引脚-翅片散热片，并采用烧结技术，以实现可靠性和热效率。该模块的设计符合AQG324汽车标准。