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onsemi NXH011F120M3F2碳化硅MOSFET

安森美 (onsemi) NXH011F120M3F2 EliteSiC SiC MOSFET模块采用11mΩ/1200V SiC M3S MOSFET全桥配置。该模块在F2封装内集成热敏电阻和HPS DBC，可实现紧凑、高效的功率转换设计。安森美 (onsemi) NXH011F120M3F2提供两种预涂热界面材料和一种非预涂热界面材料。模块还配备压接引脚，采用无铅、无卤化物且符合RoHS标准的构造，适用于功率模块集成。

该模块非常适合用于太阳能逆变器、不间断电源、EV充电站及工业电源应用。全桥拓扑结构、1200V SiC MOSFET额定值、热敏电阻连接及开尔文源极引脚支持，使NXH011F120M3F2成为高要求电力电子平台的理想选择。

特性

  • 11mΩ/1200V M3S SiC MOSFET全桥功率模块
  • 集成热敏电阻，用于温度监测
  • HPS DBC结构，用于功率模块设计
  • 压接引脚，用于模块连接
  • 提供两种预涂热界面材料（TIM）版本和非预涂热界面材料版本
  • 采用无铅、无卤化物且符合RoHS标准的构造

应用

  • 太阳能逆变器
  • 不间断电源
  • 电动汽车充电站
  • 工业电源

规范

  • 漏极连续电流：105A（TC = 80°C、TJ = 175°C时）
  • 脉冲漏极电流：316A（TJ = 175°C时）
  • 最大功率耗散：244W（TJ = 175°C时）
  • 存放温度范围：-40°C至+150°C
  • 工作结温范围：-40 °C至+175 °C
  • 包装
    • F2封装
    • PIM34外壳，采用压接构造
    • 封装大小：56.7mm x 42.5mm
  • 漏极-源极电压：1200V
  • 栅极-源极电压范围：+22V至-10V
  • 引脚功能
    • TH1和TH2：热敏电阻连接
    • AC1和AC2：全桥中心点
    • DC+：正母线连接；DC-：负母线连接
    • 栅极和开尔文源极连接，用于高侧和低侧开关

评估板

onsemi EVBUM2878G-EVB 评估板

设计用于评估1200 V个采用F2封装的M3S全桥4-PACK模块。

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其他资源

原理图

原理图 - onsemi NXH011F120M3F2碳化硅MOSFET
机械图纸 - onsemi NXH011F120M3F2碳化硅MOSFET
发布日期: 2026-07-29 | 更新日期: 2026-08-25