NXH004P120M3F2PTHG

Name: onsemi NXH004P120M3F2PTHG
Brand: onsemi
SKU: 863-H004P120M3F2PTHG
Price: 1479.08 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-H004P120M3F2PTHG

制造商编号：

NXH004P120M3F2PTHG

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET模块 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES

数据表:

NXH004P120M3F2PTHG 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET模块
RoHS:
技术:	SiC
安装风格:	Press Fit
封装 / 箱体:	PIM-36
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	284 A
Rds On-漏源导通电阻:	7.5 mohms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.8 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	785 W
系列:	NXH004P120M3F2PTHG
封装:	Tray
商标:	onsemi
配置:	Half Bridge
下降时间:	14 ns
产品类型:	MOSFET Modules
上升时间:	15 ns
工厂包装数量:	20
子类别:	Discrete and Power Modules
商标名:	EliteSiC
类型:	Half Bridge
典型关闭延迟时间:	127 ns
典型接通延迟时间:	49 ns
Vf - 正向电压:	5.1 V

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数据表

NXH004P120M3F2PTHG 数据表 (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

NXH00xP120M3F2PTxG EliteSiC半桥模块

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