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RoHS

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NXH008P120M3F1P MOSFET模块

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	系列	封装
	MOSFET模块 8M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE NXH008P120M3F1PTG onsemi 1: ¥876.541 34库存量	制造商零件编号 NXH008P120M3F1PTG Mouser 零件编号 863-NXH008P12M3F1PTG	onsemi	MOSFET模块 8M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE	数据表	34库存量	¥876.541 ¥783.655	最低： 1 倍数： 1			SiC	Screw Mount	PIM-18	N-Channel	1 Channel	1.2 kV	145 A	10.9 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.4 V	- 40 C	+ 175 C	382 W	NXH008P120M3F1PTG	Tray
	MOSFET模块 8M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE NXH008P120M3F1PG onsemi 1: ¥896.3951 26库存量	制造商零件编号 NXH008P120M3F1PG Mouser 零件编号 863-NXH008P120M3F1PG	onsemi	MOSFET模块 8M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE	数据表	26库存量	¥896.3951 ¥804.9103	最低： 1 倍数： 1			SiC	Screw Mount	PIM-18	N-Channel	1 Channel	1.2 kV	145 A	10.9 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.4 V	- 40 C	+ 175 C	382 W		Tray
	MOSFET模块 EliteSiC, 8 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package NXH008P120M3F1PNG onsemi 1: ¥663.9654 28预期 2027/2/16 新产品	制造商零件编号 NXH008P120M3F1PNG Mouser 零件编号 863-XH008P120M3F1PNG 新产品	onsemi	MOSFET模块 EliteSiC, 8 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package 了解更多关于onsemi nxh011f120m3f2 mosfet modules 的信息	数据表	28预期 2027/2/16	¥663.9654 ¥519.0429 ¥516.1501	最低： 1 倍数： 1			SiC	Press Fit		N-Channel	2 Channel	1.2 kV	145 A	10.9 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.4 V	- 40 C	+ 175 C	382 W		Tray
	MOSFET模块 EliteSiC, 6 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package NXH006P120M3F1PNG onsemi 1: ¥685.797 28预期 2027/2/16 新产品	制造商零件编号 NXH006P120M3F1PNG Mouser 零件编号 863-XH006P120M3F1PNG 新产品	onsemi	MOSFET模块 EliteSiC, 6 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package 了解更多关于onsemi nxh011f120m3f2 mosfet modules 的信息	数据表	28预期 2027/2/16	¥685.797 ¥537.4845 ¥534.4335	最低： 1 倍数： 1			SiC	Press Fit		N-Channel	2 Channel	1.2 kV	240 A	9 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.4 V	- 40 C	+ 175 C	500 W		Tray