.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

PD54008-E 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	晶体管极性	技术	Id-连续漏极电流	Vds-漏源极击穿电压	工作频率	增益	输出功率	最小工作温度	最大工作温度	安装风格	封装 / 箱体	晶体管类型	封装
	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch PD54008-E STMicroelectronics 1: ¥128.707 1,533库存量	制造商零件编号 PD54008-E Mouser 零件编号 511-PD54008-E	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch	数据表	1,533库存量	¥128.707 ¥91.0667 ¥84.2867 ¥84.2076 报价报价	最低： 1 倍数： 1			N-Channel	Si	5 A	25 V	1 GHz	11.5 dB	8 W	- 65 C	+ 150 C	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Formed-4	LDMOS FET	Tube
	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST PD54008TR-E STMicroelectronics 600: ¥82.6369 无库存交货期 23 周	制造商零件编号 PD54008TR-E Mouser 零件编号 511-PD54008TR-E	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST	数据表	无库存交货期 23 周	卷轴 ¥82.6369 ¥78.5802	最低： 600 倍数： 600 : 600			N-Channel	Si	5 A	25 V	1 GHz	11.5 dB	8 W	- 65 C	+ 150 C	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Formed-4	LDMOS FET	Reel

PD54008-E 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

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