PD55003L 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性 技术 Id-连续漏极电流 Vds-漏源极击穿电压 工作频率 增益 输出功率 最小工作温度 最大工作温度 安装风格 封装 / 箱体 晶体管类型 封装
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER transistor LDMOST family N-Chan 8,750库存量
剪切带
¥64.8507
¥46.5673
¥41.7761
¥39.5387
卷轴
¥39.5387
最低: 1
倍数: 1
: 3,000
N-Channel Si 2.5 A 40 V 1 GHz 17 dB 3 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerFLAT (5x5) LDMOS FET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 40 Volt 2.5 Amp
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否
N-Channel Si 2.5 A 40 V 1 GHz 17 dB 3 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerFLAT (5x5) Reel, Cut Tape