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PD55025-E 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	晶体管极性	技术	Id-连续漏极电流	Vds-漏源极击穿电压	工作频率	增益	输出功率	最小工作温度	最大工作温度	安装风格	封装 / 箱体	晶体管类型	封装
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch PD55025-E STMicroelectronics 1: ¥272.217 45库存量 400预期 2026/11/27	制造商零件编号 PD55025-E Mouser 零件编号 511-PD55025-E	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch	数据表	45库存量 400预期 2026/11/27	¥272.217 ¥203.4791 ¥189.4219 ¥182.8001	最低： 1 倍数： 1	N-Channel	Si	7 A	40 V	1 GHz	14.5 dB	25 W	- 65 C	+ 150 C	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Formed-4	LDMOS FET	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor PD55025S-E STMicroelectronics 1: ¥263.7759 102库存量	制造商零件编号 PD55025S-E Mouser 零件编号 511-PD55025S-E	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor	数据表	102库存量	¥263.7759 ¥193.3882 ¥184.2126 ¥174.9466	最低： 1 倍数： 1	N-Channel	Si	7 A	40 V	1 GHz	14.5 dB	25 W	- 65 C	+ 150 C	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Straight-4	LDMOS FET	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Trans N-Channel PD55025TR-E STMicroelectronics 600: ¥181.8057 无库存交货期 23 周	制造商零件编号 PD55025TR-E Mouser 零件编号 511-PD55025TR-E	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Trans N-Channel	数据表	无库存交货期 23 周	卷轴 ¥181.8057	最低： 600 倍数： 600 : 600	N-Channel	Si	7 A	12.5 V	500 MHz	14.5 dB	25 W		+ 165 C	SMD/SMT	PowerSO-10RF-2	LDMOS FET	Reel

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