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PD57060S-E 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	晶体管极性	技术	Id-连续漏极电流	Vds-漏源极击穿电压	工作频率	增益	输出功率	最小工作温度	最大工作温度	安装风格	封装 / 箱体	晶体管类型	封装
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam PD57060S-E STMicroelectronics 400: ¥391.5789 无库存交货期 23 周	制造商零件编号 PD57060S-E Mouser 零件编号 511-PD57060S-E	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam	数据表	无库存交货期 23 周	¥391.5789	最低： 400 倍数： 400	N-Channel	Si	7 A	65 V	1 GHz	14.3 dB	60 W	- 65 C	+ 150 C	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Straight-4	LDMOS FET	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam PD57060-E STMicroelectronics 1: ¥529.1338 1,185库存量	制造商零件编号 PD57060-E Mouser 零件编号 511-PD57060-E	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam	数据表	1,185库存量	¥529.1338 ¥400.5963 ¥391.5789	最低： 1 倍数： 1	N-Channel	Si	7 A	65 V	1 GHz	14.3 dB	60 W	- 65 C	+ 150 C	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Formed-4	LDMOS FET	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam PD57060TR-E STMicroelectronics 600: ¥391.5789 无库存交货期 23 周	制造商零件编号 PD57060TR-E Mouser 零件编号 511-PD57060TR-E	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam	数据表	无库存交货期 23 周	卷轴 ¥391.5789	最低： 600 倍数： 600 : 600	N-Channel	Si	7 A	65 V	1 GHz	14.3 dB	60 W	- 65 C	+ 150 C	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Formed-4	LDMOS FET	Reel

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