QPD1011SR

772-QPD1011SR
QPD1011SR

制造商:

说明:
GaN 场效应晶体管 .03-1.2GHz 7W 50V GaN

寿命周期:
停产
ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
Qorvo
产品种类: GaN 场效应晶体管
交货限制:
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RoHS:  
SMD/SMT
SMD-8
N-Channel
50 V
1.46 A
- 40 C
+ 85 C
13 W
1.2 GHz
30 MHz
GaN
商标: Qorvo
开发套件: QPD1011EVB01
增益: 21 dB
最大漏极/栅极电压: 55 V
湿度敏感性: Yes
输出功率: 8.7 W
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
产品类型: GaN FETs
系列: QPD1011
工厂包装数量: 100
子类别: Transistors
晶体管类型: HEMT
Vgs-栅源极击穿电压 : 145 V
零件号别名: QPD1011
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已选择的属性: 0

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合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854239099
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
美国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

供货情况

库存: