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QPD1020SR

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Mouser编号：

772-QPD1020SR

制造商编号：

QPD1020SR

制造商：

Qorvo

说明：

GaN 场效应晶体管 2.7-3.5GHz 30W Gain 18.4dB

寿命周期:

停产

数据表:

QPD1020SR 数据表

ECAD模型:

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交货限制:

Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Qorvo
产品种类:	GaN 场效应晶体管
交货限制:	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFN-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	50 V
Id-连续漏极电流:	100 mA
Vgs - 栅极-源极电压:	- 2.8 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 85 C
Pd-功率耗散:	30 W
最大工作频率:	3.5 GHz
最小工作频率:	2.7 GHz
技术:	GaN-on-SiC
商标:	Qorvo
增益:	18.4 dB
湿度敏感性:	Yes
输出功率:	30 W
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品类型:	GaN FETs
系列:	QPD1020
工厂包装数量:	100
子类别:	Transistors
类型:	RF Small Signal MOSFET
零件号别名:	QPD1020
单位重量:	11.688 g

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已选择的属性: 0

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数据表

QPD1020SR 数据表

EOL

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8541290055
MXHTS:: 8542330201
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 美国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

特色产品

QORVO

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QPD1426/QPD1426L GaN射频晶体管

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