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SCTW40N120G2V 碳化硅MOSFET

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	安装风格	封装 / 箱体	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	资格
	碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package SCTW40N120G2V STMicroelectronics 1: ¥120.1077 354库存量寿命结束	制造商零件编号 SCTW40N120G2V Mouser 零件编号 511-SCTW40N120G2V 寿命结束	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package	数据表	354库存量	¥120.1077 ¥85.4506	最低： 1 倍数： 1			Through Hole	HiP-247-3	1 Channel	1.2 kV	36 A	100 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.9 V	61 nC	- 55 C	+ 200 C	278 W	Enhancement
	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H SCTW40N120G2VAG STMicroelectronics 1: ¥166.8332 9库存量 600预期 2027/5/14 寿命结束	制造商零件编号 SCTW40N120G2VAG Mouser 零件编号 511-SCTW40N120G2VAG 寿命结束	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H 了解更多关于STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 的信息	数据表	9库存量 600预期 2027/5/14	¥166.8332 ¥89.3378	最低： 1 倍数： 1			Through Hole	HiP-247-3	1 Channel	1.2 kV	36 A	100 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.9 V	61 nC	- 55 C	+ 200 C	278 W	Enhancement	AEC-Q101

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