SCTW40N120G2V

STMicroelectronics
511-SCTW40N120G2V
SCTW40N120G2V

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package
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寿命周期:
寿命结束:
将过时且制造商将停产。
数据表:
ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
Through Hole
HiP-247-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
36 A
100 mOhms
- 10 V, + 22 V
4.9 V
61 nC
- 55 C
+ 200 C
278 W
Enhancement
商标: STMicroelectronics
下降时间: 7.9 ns
封装: Tube
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 10.3 ns
工厂包装数量: 600
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 22 ns
典型接通延迟时间: 13.4 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

库存量: 354

库存：
354 可立即发货
数量大于354的订购须受最低订购要求的限制。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥111.4971 ¥111.50
¥84.5353 ¥845.35
¥73.7777 ¥7,377.77
¥73.6986 ¥44,219.16

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