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SD2931-10 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	晶体管极性	技术	Id-连续漏极电流	Vds-漏源极击穿电压	工作频率	增益	输出功率	最小工作温度	最大工作温度	安装风格	封装 / 箱体	晶体管类型	封装
	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz SD2931-10W STMicroelectronics 1: ¥774.5472 1,548库存量	制造商零件编号 SD2931-10W Mouser 零件编号 511-SD2931-10W	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz	数据表	1,548库存量	¥774.5472 ¥615.3189 ¥590.3459	最低： 1 倍数： 1			N-Channel	Si	20 A	125 V	230 MHz	15 dB	150 W		+ 150 C	SMD/SMT	M174		Bulk
	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 125 Volt 20A SD2931-10 STMicroelectronics 受限供货情况停产	制造商零件编号 SD2931-10 Mouser 零件编号 511-SD2931-10 停产	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 125 Volt 20A Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况			N-Channel	Si	20 A	125 V	230 MHz	15 dB	150 W	- 65 C	+ 150 C	SMD/SMT	M174	DMOS FET	Bulk

SD2931-10 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

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