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SD2932 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	晶体管极性	技术	Id-连续漏极电流	Vds-漏源极击穿电压	工作频率	增益	输出功率	最小工作温度	最大工作温度	安装风格	封装 / 箱体	封装
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz SD2932BW STMicroelectronics 1: ¥1,805.7739 35库存量	制造商零件编号 SD2932BW Mouser 零件编号 511-SD2932BW	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz		35库存量	¥1,805.7739 ¥1,444.5468	最低： 1 倍数： 1	N-Channel	Si	40 A	125 V	250 MHz	15 dB	300 W		+ 200 C	Screw Mount		Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch MOS HF/VHF/ RF 300W 15dB 175MHz SD2932W STMicroelectronics 1: ¥1,709.8256 68库存量	制造商零件编号 SD2932W Mouser 零件编号 511-SD2932W	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch MOS HF/VHF/ RF 300W 15dB 175MHz	数据表	68库存量	¥1,709.8256 ¥1,377.9672	最低： 1 倍数： 1	N-Channel	Si	40 A	125 V	250 MHz	16 dB	300 W		+ 150 C	SMD/SMT	M244	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 125 Volt 40A SD2932 STMicroelectronics 受限供货情况停产	制造商零件编号 SD2932 Mouser 零件编号 511-SD2932 停产	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 125 Volt 40A Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况	N-Channel	Si	40 A	125 V	250 MHz	16 dB	300 W	- 65 C	+ 150 C	SMD/SMT	M244	Tube

SD2932 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

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