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SD2933 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	晶体管极性	技术	Id-连续漏极电流	Vds-漏源极击穿电压	工作频率	增益	输出功率	最小工作温度	最大工作温度	安装风格	封装 / 箱体	晶体管类型	封装
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz SD2933W STMicroelectronics 1: ¥1,155.2894 1,050在途量	制造商零件编号 SD2933W Mouser 零件编号 511-SD2933W	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz	数据表	1,050在途量订单发货日期制造商编号： SD2933W 库存： 0 在途量: 250 预期 2027/3/12 800 预期 2027/4/9 生产周期： 28 周	¥1,155.2894 ¥899.0393	最低： 1 倍数： 1		Si											Bulk
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 125 Volt 40A SD2933 STMicroelectronics 受限供货情况停产	制造商零件编号 SD2933 Mouser 零件编号 511-SD2933 停产	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 125 Volt 40A Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况	N-Channel	Si	40 A	125 V	150 MHz	23.5 dB	300 W	- 65 C	+ 150 C	SMD/SMT	M177	DMOS FET	Tray
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz STMicroelectronics SD2933-03W SD2933-03W STMicroelectronics 50: ¥1,120.9713 无库存交货期 28 周	制造商零件编号 SD2933-03W Mouser 零件编号 511-SD2933-03W	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz		无库存交货期 28 周	¥1,120.9713	最低： 50 倍数： 50		Si											Bulk

SD2933 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

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