SD2943 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性 技术 Id-连续漏极电流 Vds-漏源极击穿电压 工作频率 增益 输出功率 最小工作温度 最大工作温度 安装风格 封装 / 箱体 封装


STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 350W 22dB 30MHz
50预期 2026/11/5
¥1,380.2837
¥1,056.9455
最低: 1
倍数: 1
Si Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
N-Channel Si 40 A 130 V 30 MHz 22 dB 350 W - 65 C + 200 C SMD/SMT M-177-4 Bulk