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SD56150

STMicroelectronics

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Mouser编号：

未分配

制造商编号：

SD56150

制造商：

STMicroelectronics

说明：

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 17 Amp

完成您的设计

寿命周期:

停产

数据表:

SD56150 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性:	N-Channel
技术:	Si
Id-连续漏极电流:	17 A
Vds-漏源极击穿电压:	65 V
工作频率:	1 GHz
增益:	13 dB
输出功率:	150 W
最小工作温度:	- 65 C
最大工作温度:	+ 150 C
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	M252
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值:	2.5 S
Pd-功率耗散:	236 W
产品类型:	RF MOSFETs
系列:	SD56150
工厂包装数量:	15
子类别:	RF Transistors
类型:	RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压:	+ 20 V

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

SD56150 数据表 (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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