SGT3D5R10MEB

Name: STMicroelectronics SGT3D5R10MEB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT3D5R10MEB
Price: 29.5 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

511-SGT3D5R10MEB

制造商编号：

SGT3D5R10MEB

制造商：

STMicroelectronics

说明：

GaN 场效应晶体管 100 V, 2.9 mOhm typ., 201 A, e-mode PowerGaN transistor

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	FCLGA-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	201 A
Rds On-漏源导通电阻:	3.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 4 V to + 6 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.1 V
Qg-栅极电荷:	6.3 nC
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	255 W
通道模式:	Enhancement
技术:	GaN
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降时间:	3.84 ns
湿度敏感性:	Yes
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
产品:	Transistors
产品类型:	GaN FETs
上升时间:	6.08 ns
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
类型:	PowerGaN Transistor
典型关闭延迟时间:	5.12 ns
典型接通延迟时间:	2.56 ns
单位重量:	78 mg

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合规代码

USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

SGT3D5R10MEB PowerGaN晶体管

STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN晶体管是一款100V、201A的e型晶体管，具有极低的导通损耗、大电流能力和超快的开关操作。该晶体管具有高切换频率，可实现紧凑、大功率密度设计，使用小型被动元件，简化热管理。SGT3D5R10MEB晶体管工作时的漏源导通电阻 (R_DS(ON)) 为2.7mΩ（典型值），工作结温范围为-40°C至+150°C。这款PowerGaN晶体管非常适用于DC-DC转换器、电机驱动器和太阳能系统MPPT。