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STAC1011-500 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	晶体管极性	技术	Id-连续漏极电流	Vds-漏源极击穿电压	工作频率	增益	输出功率	最大工作温度	安装风格	封装 / 箱体	晶体管类型	封装
	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 500 W, 50 V, 700 to 1200 MHz RF power LDMOS transistor STMicroelectronics STAC1011-500 STAC1011-500 STMicroelectronics 80: ¥1,242.7288 无库存交货期 28 周	制造商零件编号 STAC1011-500 Mouser 零件编号 511-STAC1011-500	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 500 W, 50 V, 700 to 1200 MHz RF power LDMOS transistor	数据表	无库存交货期 28 周	¥1,242.7288	最低： 80 倍数： 80				Si									LDMOS FET	Bulk
	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LDMOS avionics radar transistor STAC1011-350 STMicroelectronics 1: ¥2,085.189 5库存量寿命结束	制造商零件编号 STAC1011-350 Mouser 零件编号 511-STAC1011-350 寿命结束	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LDMOS avionics radar transistor	数据表	5库存量	¥2,085.189 ¥1,646.6247	最低： 1 倍数： 1			N-Channel	Si	2 uA	80 V	1.03 GHz to 1.09 GHz	15 dB	350 W	+ 200 C	Screw Mount	STAC265B-3	LDMOS FET	Tube

STAC1011-500 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

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