STD12NF06L-1

Name: STMicroelectronics STD12NF06L-1
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD12NF06L-1
Price: 7.91 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

511-STD12NF06L-1

制造商编号：

STD12NF06L-1

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-Ch 60 Volt 12 Amp

完成您的设计

数据表:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-251-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	12 A
Rds On-漏源导通电阻:	100 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	16 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1 V
Qg-栅极电荷:	10 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	30 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	STripFET
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降时间:	13 ns
正向跨导 - 最小值:	7 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	35 ns
系列:	STD12NF06L-1
工厂包装数量:	6000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	20 ns
典型接通延迟时间:	10 ns
单位重量:	340 mg

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数据表

STD12NF06L-1 数据表 (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 新加坡
组装原产国/地区:: 新加坡
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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库存量: 4,536

库存：: 4,536

可立即发货

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在途量:: 3,000

预期 2026/11/5

27,000

12,000

预期 2026/11/20

15,000

预期 2026/12/25
生产周期：: 15

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥8.9383	¥8.94
	¥5.6613	¥56.61
	¥4.1697	¥416.97
	¥3.2883	¥1,644.15
	¥2.8815	¥2,881.50
	¥2.5425	¥6,356.25
	¥2.2713	¥13,627.80
	¥2.1809	¥26,170.80
	¥1.9097	¥57,291.00

STD12NF06L-1

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