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STGWA30H65FB 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	封装 / 箱体	安装风格	配置	集电极—发射极最大电压 VCEO	集电极—射极饱和电压	栅极/发射极最大电压	在25 C的连续集电极电流	Pd-功率耗散	最小工作温度	最大工作温度	系列	封装
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT STGWA30H65FB STMicroelectronics 受限供货情况停产	制造商零件编号 STGWA30H65FB Mouser 零件编号 511-STGWA30H65FB 停产	STMicroelectronics	绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况			Si	TO-247-3	Through Hole	Single	650 V	1.55 V	- 20 V, 20 V	60 A	260 W	- 55 C	+ 175 C	STGWA30H65FB	Tube
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) PTD IGBT & IPM STGWT30H65FB STMicroelectronics 1: ¥29.6173 283库存量寿命结束	制造商零件编号 STGWT30H65FB Mouser 零件编号 511-STGWT30H65FB 寿命结束	STMicroelectronics	绝缘栅双极晶体管(IGBT) PTD IGBT & IPM	数据表	283库存量	¥29.6173 ¥16.6223 ¥13.6504 ¥13.4809 查看 ¥13.0741 ¥12.656 ¥12.1588	最低： 1 倍数： 1			Si	TO-3P	Through Hole	Single	650 V	1.75 V	- 20 V, 20 V	30 A	260 W	- 55 C	+ 175 C	STGWT30H65FB	Tube

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