STGWT30H65FB

STMicroelectronics
511-STGWT30H65FB
STGWT30H65FB

制造商：

说明：
绝缘栅双极晶体管(IGBT) PTD IGBT & IPM
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寿命周期:
寿命结束:
将过时且制造商将停产。
数据表:
ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
TO-3P
Through Hole
Single
650 V
1.75 V
- 20 V, 20 V
30 A
260 W
- 55 C
+ 175 C
STGWT30H65FB
Tube
商标: STMicroelectronics
集电极最大连续电流 Ic: 60 A
栅极—射极漏泄电流: 250 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 300
子类别: IGBTs
单位重量: 6.756 g
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
韩国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

库存量: 283

库存：
283 可立即发货
数量大于283的订购须受最低订购要求的限制。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥29.6173 ¥29.62
¥16.6223 ¥166.22
¥13.6504 ¥1,365.04
¥13.4809 ¥8,088.54
¥13.0741 ¥15,688.92
¥12.656 ¥34,171.20
¥12.1588 ¥62,009.88

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