STI18N60M2

STMicroelectronics
511-STI18N60M2
STI18N60M2

制造商：

说明：
MOSFET PTD HIGH VOLTAGE
完成您的设计

寿命周期:
寿命结束:
将过时且制造商将停产。
数据表:
ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-262-3
N-Channel
1 Channel
600 V
13 A
280 mOhms
25 V
2 V
21.5 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
商标: STMicroelectronics
配置: Single
产品类型: MOSFETs
系列: STI18N60M2
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
单位重量: 2.387 g
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

库存量: 595

库存：
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该产品已停产，库存售罄后将不再提供。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥23.7413 ¥23.74
¥15.3906 ¥153.91
¥10.5881 ¥1,058.81
¥8.9383 ¥4,469.15
¥7.571 ¥7,571.00
¥7.4015 ¥37,007.50

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