STL260N4LF7

STMicroelectronics
511-STL260N4LF7
STL260N4LF7

制造商:

说明:
MOSFET N-channel 40 V, 0.85 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x

ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerFLAT5x6-8
N-Channel
1 Channel
40 V
120 A
1.1 mOhms
20 V
2.5 V
42 nC
- 55 C
+ 175 C
188 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: STMicroelectronics
下降时间: 23 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 14 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 74 ns
典型接通延迟时间: 21 ns
单位重量: 76 mg
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
意大利
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

碳化硅功率MOSFET

STMicroelectronics碳化硅功率MOSFET将宽禁带材料的先进性和可靠性引入到更广泛的节能应用中,如用于电动/混合动力汽车、太阳能或风力发电、高效驱动器、电源和智能电网设备的逆变器。从650V到1700V的扩展电压范围使其具有出色的开关性能,以及极低的单位面积导通电阻RDS(on)性能指标,从而实现了更高效、更紧凑的系统。ST的1200V SiC MOSFET具有200°C的高温度额定值,可改进电力电子系统的散热设计。与硅MOSFET相比,SiC MOSFET的开关损耗更低,且随温度的变化更小。

库存量: 4,893

库存:
4,893 可立即发货
生产周期:
24 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥27.9562 ¥27.96
¥13.9781 ¥139.78
¥12.656 ¥1,265.60
¥10.2604 ¥5,130.20
¥10.0909 ¥10,090.90
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)
¥9.3451 ¥28,035.30
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩