STQ1NK80ZR-AP

Name: STMicroelectronics STQ1NK80ZR-AP
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STQ1NK80ZR-AP
Price: 9.88 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

511-STQ1NK80ZR-AP

制造商编号：

STQ1NK80ZR-AP

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N Ch 800V 13 Ohm 1A

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数据表:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-92-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	800 V
Id-连续漏极电流:	300 mA
Rds On-漏源导通电阻:	16 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:	30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	7.7 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	3 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Ammo Pack
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降时间:	55 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	30 ns
系列:	STQ1NK80ZR-AP
工厂包装数量:	2000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	22 ns
典型接通延迟时间:	8 ns
单位重量:	453.600 mg

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数据表

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PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 新加坡
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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库存量: 3,928

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在途量:: 4,000

预期 2027/6/25
生产周期：: 32

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥11.1644	¥11.16
	¥5.2206	¥52.21
	¥4.633	¥463.30
	¥3.6047	¥1,802.35
	¥3.5369	¥3,536.90
整卷弹药盒（请按2000的倍数订购）
	¥2.9832	¥5,966.40
	¥2.6555	¥10,622.00

STQ1NK80ZR-AP

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