STU6N95K5

Name: STMicroelectronics STU6N95K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STU6N95K5
Price: 28.69 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

511-STU6N95K5

制造商编号：

STU6N95K5

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-Ch 950V 1Ohm 9A pwr MDmesh K5

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-251-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	950 V
Id-连续漏极电流:	9 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.25 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:	30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	13 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	90 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	MDmesh
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降时间:	21 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	12 ns
系列:	STU6N95K5
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	33 nS
典型接通延迟时间:	12 ns
单位重量:	340 mg

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数据表

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PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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