RF Power MOSFET 半导体

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MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Matched pair Transistors 413库存量
最低: 1
倍数: 1
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor 3,719库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS 6,401库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 2Watts 28Volt Gain 16dB 534库存量
最低: 1
倍数: 1

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS 1,435库存量
最低: 1
倍数: 1

CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications 90库存量
最低: 10
倍数: 10

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch 1,546库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 150Watts 28Volt Gain 8dB 40库存量
最低: 1
倍数: 1

Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1 56库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,<175MHz,50V,150W,CuMollyPkg 260库存量
最低: 1
倍数: 1


CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 3库存量
最低: 1
倍数: 1
: 10

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor 228库存量
最低: 1
倍数: 1


Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source 68库存量
最低: 1
倍数: 1

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz 201库存量
最低: 1
倍数: 1

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. 466库存量
最低: 1
倍数: 1

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST 573库存量
最低: 1
倍数: 1
: 600

CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications 100库存量
最低: 10
倍数: 10



STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 350W 22dB 30MHz 59库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-80MHz 600Watts 50Volt Gain 21dB 8库存量
最低: 1
倍数: 1

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor 151库存量
最低: 1
倍数: 1

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp 51库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,150W,<200MHz,28V,TMOS 70库存量
最低: 1
倍数: 1

NXP Semiconductors AFV09P350-04NR3
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V 207库存量
最低: 1
倍数: 1
: 250

NXP Semiconductors AFT27S006NT1
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-3700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V 1,248库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V 38库存量
最低: 1
倍数: 1
: 50