ISSI 存储器 IC

结果: 3,548
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ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT
112预期 2027/2/9
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-78 8 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.35V, DDR3L, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT
126在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-78 8 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 2G, 1.5V, DDR3L, 256Mx8, 1866MT/s @ 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT
241预期 2027/1/12
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-78 2 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 2G 128Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L I-Temp
1,486预期 2026/12/28
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +105C), 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS
648在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
1,500预期 2026/10/16
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
240预期 2026/7/15
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive 2G 1.8V DDR2 128Mx16 333MHz
209预期 2026/11/20
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-84 2 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C) 2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx16, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT
684在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-134 2 Gb
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS
179预期 2027/3/18
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI 静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,3.3v or 2.5v I/O, 165 Ball BGA, Lead Free
121预期 2026/12/15
最低: 1
倍数: 1

SRAM SMD/SMT FBGA-165 18 Mbit

ISSI 静态随机存取存储器 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
998预期 2026/7/16
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel

ISSI 静态随机存取存储器 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
745在途量
最低: 1
倍数: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-44 8 Mbit Parallel

ISSI 静态随机存取存储器 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v 3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
996预期 2026/7/15
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel

ISSI 静态随机存取存储器 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v 3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
675预期 2026/7/1
最低: 1
倍数: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel

ISSI 静态随机存取存储器 1M (128Kx8) 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
1,008预期 2026/10/16
最低: 1
倍数: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-32 1 Mbit Parallel
ISSI 静态随机存取存储器 16Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
480预期 2026/7/22
最低: 1
倍数: 1

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 16 Mbit Parallel
ISSI 动态随机存取存储器 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
479预期 2026/10/8
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TFBGA-24 64 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 1.8V, 133Mhz 16Mx16 Mobile SDR
1,185在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 256 Mbit
ISSI NOR闪存 16M QSPI, 8-pin SOP 208mil ET
2,700在途量
最低: 1
倍数: 1

NOR Flash SMD/SMT SOIC-8 16 Mbit SPI
ISSI NOR闪存 16Mb 3V 66/133Mhz Serial NOR闪存
1,978在途量
最低: 1
倍数: 1

NOR Flash SMD/SMT WSON-8 16 Mbit SPI

ISSI 通用闪存存储器 - UFS 2Gb QPI/QSPI, 24-ball TFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, reset pin, new die, Auto Grade
480预期 2026/8/17
最低: 1
倍数: 1

Flash Memory Universal Flash Storage (UFS) TFBGA-24 2 Gb QPI, QSPI
ISSI NOR闪存 64Mb QPI/QPI/QSPI, 8-pin SOP 208Mil, RoHS, Auto Grade
1,145预期 2027/1/15
最低: 1
倍数: 1

NOR Flash SMD/SMT SOP-8 64 Mbit Dual/Quad SPI/QPI
ISSI NOR闪存 128M 2.3-3.6V 166MHz Serial Flash
1,334预期 2026/10/16
最低: 1
倍数: 1

NOR Flash SMD/SMT SOIC-8 128 Mbit SPI

ISSI NOR闪存 128Mb 3V 80/166Mhz Serial NOR闪存
759在途量
最低: 1
倍数: 1

NOR Flash SMD/SMT TFBGA-24 128 Mbit SPI