ISSI 存储器 IC

结果: 3,548
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ISSI IS46LQ32256A-062BLA2
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
136预期 2027/3/25
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-200 8 Gbit
ISSI IS66WVH32M8DALL-166B1LI
ISSI 动态随机存取存储器 256Mb, HyperRAM, 32Mbx8, 1.8V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
480预期 2026/10/16
最低: 1
倍数: 1
DRAM SMD/SMT 256 Mbit
ISSI IS43LR16128B-5BLI
ISSI 动态随机存取存储器 2G, 1.8V, Mobile DDR, 128Mx16, 200Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT
600预期 2026/12/14
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-60
ISSI IS46TR16256ECL-125LB2LA2
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.35V, DDR3L w/ ECC,256Mx16, 1600MT/s @ 12-11-11, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
264在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96
ISSI IS66WVS4M8ALL-104NLI
ISSI 静态随机存取存储器 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
797在途量
最低: 1
倍数: 1

SRAM SMD/SMT SOIC-8 32 Mbit SPI
ISSI IS46QR16512A-075VBLA2
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2666MT/s @ 19-19-19, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
136预期 2026/12/16
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96
ISSI 动态随机存取存储器 DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz, 64Mx16, IT
247在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-84 1 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, M-S动态随机存取存储器 4Mx32, 133Mhz, RoHS
240预期 2026/7/24
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 128 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 400Mhz a.CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, IT
137在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-60 1 Gb
ISSI 动态随机存取存储器 512M 1.2/1.8V 32Mx16 400MHz 134ball BGA
171预期 2026/10/8
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-134 512 Mbit
ISSI 静态随机存取存储器 2M (128Kx16) 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
280预期 2026/7/29
最低: 1
倍数: 1

SRAM SMD/SMT BGA-48 2 Mbit Parallel

ISSI 静态随机存取存储器 1M, 2.4V-3.6V, 10ns LP Async 静态随机存取存储器
351预期 2026/7/15
最低: 1
倍数: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-32 1 Mbit Parallel

ISSI 静态随机存取存储器 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
135预期 2026/7/1
最低: 1
倍数: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-II-44 8 Mbit Parallel
ISSI 静态随机存取存储器 1Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 8,45ns,2.2v 3.6v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS
234预期 2026/7/15
最低: 1
倍数: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-32 1 Mbit Parallel
ISSI 静态随机存取存储器 1Mb (128Kx8) 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
213预期 2026/10/16
最低: 1
倍数: 1

SRAM SMD/SMT 1 Mbit Parallel
ISSI NOR闪存 16Mb QSPI, 8-pin SOP 150Mil, RoHS, Auto Grade
1,000在途量
最低: 1
倍数: 1

NOR Flash SMD/SMT SOIC-8 16 Mbit SPI

ISSI NOR闪存 32M QSPI, 16-pin SOP 300mil ET
1,000预期 2026/11/5
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

NOR Flash SOIC-16
ISSI NOR闪存 64Mb QPI/QPI/QSPI, 8-pin WSON6X8MM, RoHS
302预期 2026/11/27
最低: 1
倍数: 1
NOR Flash SMD/SMT WSON-8 64 Mbit Dual/Quad SPI/QPI
ISSI NOR闪存 128Mb, 56 pin TSOP, 3V, RoHS, Highest Sector Protected
95预期 2026/8/17
最低: 1
倍数: 1

NOR Flash SMD/SMT TSOP-56 128 Mbit Parallel
ISSI NOR闪存 256Mb, 64 Ball BGA(11X13mm), 3V, RoHS, Highest Sector Protected
144预期 2026/7/20
最低: 1
倍数: 1

NOR Flash SMD/SMT BGA-64 256 Mbit Parallel
ISSI NAND闪存 1G 3V x8 4-bit NAND闪存
96预期 2027/6/10
最低: 1
倍数: 1

NAND Flash SMD/SMT TSOP-I-48 1 Gbit Parallel
ISSI NAND闪存 2G 3.3V x8 1-bit NAND闪存 I-Temp
96在途量
最低: 1
倍数: 1

NAND Flash SMD/SMT TSOP-I-48 2 Gbit Parallel
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II RoHS
216预期 2026/9/3
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS
108预期 2026/9/10
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
119预期 2026/9/14
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT 2 Gbit