APS256XXN-OBRX-BG

AP Memory
878-APS256XXNOBRX-BG
APS256XXN-OBRX-BG

制造商：

说明：
动态随机存取存储器 IoT RAM 256Mb OPI x8,x16 DDR 200MHz, 1.8V Temp BGA24 suggested alt APS256XXN-OB9X-BG same device higher speed

寿命周期:
NRND:
不建议用于新设计。
数据表:
ECAD模型:
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库存量: 3,668

库存：
3,668 可立即发货
生产周期：
20 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
数量大于3668的订购须受最低订购要求的限制。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥43.2564 ¥43.26
¥40.2845 ¥402.85
¥39.0415 ¥976.04
¥38.2166 ¥1,910.83
¥37.3013 ¥3,730.13
¥36.0696 ¥9,017.40
¥35.1543 ¥17,577.15
¥34.3294 ¥34,329.40
¥33.4141 ¥83,535.25

产品属性 属性值 选择属性
AP Memory Technology
产品种类: 动态随机存取存储器
RoHS:  
PSRAM (Pseudo SRAM)
256 Mbit
8 bit / 16 bit
200 MHz
BGA-24
32 M x 8/16 M x 16
1.62 V
1.98 V
- 40 C
+ 105 C
Tray
商标: AP Memory
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: TW
湿度敏感性: Yes
安装风格: SMD/SMT
产品类型: DRAM
工厂包装数量: 4800
子类别: Memory & Data Storage
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320024
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

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