ISSI 存储器 IC

结果: 3,386
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ISSI 动态随机存取存储器 8G 512Mx16 1866MT/s 1.5V DDR3 I-Temp
5,263在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 8 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 DDR3 8G 1.5V 512Mx16 1600MT/s IT
2,690在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 8 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 8G 512Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L I-Temp
5,473在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 8 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C) 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT
855预期 2026/10/16
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-168 4 Gb
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.5V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS
5,093在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 4 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
2,944在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI 静态随机存取存储器 8M (512Kx16) 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
1,470在途量
最低: 1
倍数: 1

SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit Parallel
ISSI NOR闪存 64Mb QPI/QSPI, 8-pin SOP 208Mil, RoHS, T&R, Auto Grade
7,797在途量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

NOR Flash SMD/SMT SOP-8 64 Mbit Dual/Quad SPI/QPI
ISSI NOR闪存 128M 2.3-3.6V 166MHz Serial Flash
24,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

NOR Flash SMD/SMT SOIC-8 128 Mbit SPI

ISSI NOR闪存 128M 2.3-3.6V 166MHz Serial Flash
9,000预期 2026/11/16
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

NOR Flash SMD/SMT SOIC-16 128 Mbit SPI
ISSI NOR闪存 256M 3V 166MHZ Serial Flash
7,150在途量
最低: 1
倍数: 1

NOR Flash SMD/SMT WSON-8 256 Mbit QPI, SPI
ISSI NOR闪存 256M 3V 166MHZ Serial Flash
15,682在途量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

NOR Flash SMD/SMT WSON-8 256 Mbit QPI, SPI
ISSI NOR闪存 128Mb QPI/QSPI, 8-pin SOP 208Mil, RoHS
5,477在途量
最低: 1
倍数: 1

NOR Flash SMD/SMT SOIC-8 128 Mbit QPI, SPI
ISSI NOR闪存 128Mb QPI/QSPI, 8-pin WSON 5X6MM, RoHS, T&R
8,988预期 2026/10/14
最低: 1
倍数: 1
: 4,500

NOR Flash SMD/SMT WSON-8 128 Mbit QPI, SPI
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器 16Mx16, 166MHz
5,832在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器 16Mx16 143MHz
4,858在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 16 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器 16Mx16 143MHz
4,752在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 16 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS, IT, T&R
3,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 16 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx16, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS
6,372预期 2026/10/16
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 64 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS, IT
4,872在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 128 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx16, 143Mhz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
8,719在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 128 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器,512M,3.3V,RoHs 166MHz,16Mx32, IT
3,690预期 2026/8/11
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
3,996在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
4,323在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.2mm max thickness) RoHS
1,904在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-299 8 Gbit