磁阻随机存取存储器 (MRAM)

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 封装 / 箱体
接口类型
存储容量
组织
访问时间
电源电压-最小
电源电压-最大
最小工作温度
最大工作温度
封装
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 1Gb Non-Volatile ST-DDR4 Spin-transfer Torque 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
无库存交货期 29 周
最低： 380
倍数： 190

FBGA-96 Parallel 1 Gbit 64 M x 16 18 ns 1.14 V 1.26 V 0 C + 85 C Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 1Gb Non-Volatile ST-DDR4 Spin-transfer Torque 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表

FBGA-96 Parallel 1 Gbit 64 M x 16 18 ns 1.14 V 1.26 V 0 C + 85 C Reel